M29W320DB70N3E vs M29W640GB70N3E مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار M29W320DB70N3E توسط Micron Technology و M29W640GB70N3E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | M29W320DB70N3E | M29W640GB70N3E |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Flash | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 32 Mbit (33554 kbits) | 64 Mbit (8 MByte) |
| سازمان | 2M x 16 | 4M x16 / 8M x8 |
| Number of Words | 2000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| VPP Fast Program Voltage | 12 V (optional) | — |
| رابط | Parallel | Parallel, asynchronous |
| Block Architecture | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) | — |
| دمای کاری | -40C to +125C | -40C to +125C |
| بسته‌بندی | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | ROHS3 Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Programming Mode | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling | — |
| Power-Up Mode | Read mode (default) | — |
| ولتاژ تغذیه | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Boot Block | — | Bottom boot block (GB) |
| Programming | — | Word/Byte program, block erase |
| Command Set | — | M29W family standard command set |
| Chipset Validation | — | N/A |
| FBGA Code | — | N/A |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |