MRFE6S9160HSR3 vs MRF6S9160HSR3 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MRFE6S9160HSR3 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors ও MRF6S9160HSR3 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
NXP Semiconductors
MRF6S9160HSR3 - 880MHz 35W RF Power LDMOS | NXP Semiconductors
MRF6S9160HSR3 ⚠ শেষ কিনার সময়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MRFE6S9160HSR3 | MRF6S9160HSR3 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | শেষবার কেনার সুযোগ |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale) | — |
| Part Number | MRFE6S9160HSR3 | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | LDMOS, N-Channel, Enhancement-Mode, Lateral | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | 66 V (rated) | — |
| ড্রেইন-সোর্স ব্রেকডাউন ভোল্টেজ | [DATA_NEEDED: V(BR)DSS minimum] | — |
| Operating Drain Voltage (VDD) | 28 V (typical bias) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 10 uA [leakage spec context, ID max [DATA_NEEDED]] | — |
| Quiescent Current (IDQ) | 1200 mA | — |
| Operating Frequency Range | 865 MHz to 960 MHz | — |
| Test Frequency | 880 MHz | 880 MHz |
| Output Power (Pout) Avg. | 35 W (under N-CDMA drive, 9.8 dB PAR) | — |
| Output Power Peak | 160 W (peak envelope) | — |
| Power Gain | 21 dB (typical at 880 MHz) | 20.9 dB typical at 880 MHz |
| Drain Efficiency | 31% (typical at 35 W avg.) | 31% typical at 880 MHz |
| ACPR at 750 kHz Offset | -46.8 dBc | — |
| প্যাকেজ | NI-780S (NI780HS) ceramic, bolted flange | NI-780S (CASE 465-06, STYLE 1) ceramic flange-mount |
| মাউন্টিং টাইপ | Through-hole / chassis mount with flange | Flange / Chassis Mount with screw holes |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: confirm via latest distributor listing] | — |
| Technology | HV6E (6th gen high-voltage LDMOS) | — |
| Application | — | RF Power Amplifier |
| Operating Frequency | — | 865 MHz to 960 MHz |
| Drain-Source Voltage (Vdss) Rated | — | 68 V |
| Operating Voltage (VDD) | — | 28 V |
| Test Bias Current (IDQ) | — | 1.2 A |
| Output Power (Pout, Avg.) | — | 35 W Avg. |
| ACPR @ 750 kHz Offset | — | -46.8 dBc (N-CDMA) |
| Lead-Free Status | — | Lead free (HSR3 suffix) |
| Designed Waveforms | — | N-CDMA, GSM, GSM EDGE, multicarrier |