MRFE6S9160HSR3 vs MRFE6S9160HR3 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MRFE6S9160HSR3 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors ও MRFE6S9160HR3 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MRFE6S9160HSR3 | MRFE6S9160HR3 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale) | NXP Semiconductors |
| Part Number | MRFE6S9160HSR3 | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | LDMOS, N-Channel, Enhancement-Mode, Lateral | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | 66 V (rated) | — |
| ড্রেইন-সোর্স ব্রেকডাউন ভোল্টেজ | [DATA_NEEDED: V(BR)DSS minimum] | — |
| Operating Drain Voltage (VDD) | 28 V (typical bias) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 10 uA [leakage spec context, ID max [DATA_NEEDED]] | — |
| Quiescent Current (IDQ) | 1200 mA | — |
| Operating Frequency Range | 865 MHz to 960 MHz | 865 MHz to 960 MHz |
| Test Frequency | 880 MHz | 880 MHz |
| Output Power (Pout) Avg. | 35 W (under N-CDMA drive, 9.8 dB PAR) | — |
| Output Power Peak | 160 W (peak envelope) | — |
| Power Gain | 21 dB (typical at 880 MHz) | — |
| Drain Efficiency | 31% (typical at 35 W avg.) | 32.4% (typical, N-CDMA, 880 MHz) |
| ACPR at 750 kHz Offset | -46.8 dBc | — |
| প্যাকেজ | NI-780S (NI780HS) ceramic, bolted flange | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Through-hole / chassis mount with flange | Chassis / Flange mount (through-hole RF leads) |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: confirm via latest distributor listing] | Compliant |
| Technology | HV6E (6th gen high-voltage LDMOS) | HV6E lateral MOSFET (LDMOS-like) |
| Drain-Source Voltage (V DSS) | — | 70 V (max) |
| Drain Current (continuous) | — | [DATA_NEEDED: typical drain current at TC=25C] |
| Drain Supply Voltage (V DD) | — | 28 V (typical) |
| Output Power (Average) | — | 35 W (single-carrier N-CDMA, 880 MHz) |
| Output Power (PEP) | — | [DATA_NEEDED: PEP at specified conditions] |
| Power Gain (G ps / G p) | — | 21 dB (typical at 880 MHz) |
| প্যাকেজ / কেস | — | NI-780H-2L (ceramic/metal air-cavity flange-mount) |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -40C to +150C (junction) |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature] |
| Thermal Resistance (R thJC) | — | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-case] |
| Input Match | — | Internally matched input (broadband) |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL লেভেল | — | Not applicable (non-SMD air-cavity package) |