MT40A1G8SA-075:E vs K4A8G085WB-BICR তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT40A1G8SA-075:E নির্দিষ্ট Micron Technology ও K4A8G085WB-BICR নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
MT40A1G8SA-075:E MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার MT40A1G8SA-075:E K4A8G085WB-BICR
ব্র্যান্ড Micron Technology Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ SDRAM - DDR4 DDR4 SDRAM
মেমরি সাইজ 8Gbit (1G x 8) —
ইন্টারফেস Parallel —
Clock Frequency 1.33 GHz —
ডেটা রেট 2666 MT/s 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর 0°C to +95°C [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix]
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
প্যাকেজ 78-FBGA (7.5x11 mm) 78-ball FBGA
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Write Leveling Supported —
Dynamic On-Chip Termination Supported —
CRC Function Supported —
Data Mask Function Supported —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Density — 8 Gb
সংগঠন — 1G x 8
সাপ্লাই ভোল্টেজ — 1.2 V (VDD/VDDQ)
Number of Banks — 16
Refresh Cycles — 8192
পিন সংখ্যা — 78
Temperature Grade — Industrial (I-grade)
Die / Process — Samsung 8Gb B-die DDR4
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
Lead-Free — Yes
Refresh Management — Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট