MT40A1G8SA-075:E vs K4A8G085WB-BICR موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT40A1G8SA-075:E بذریعہ Micron Technology اور K4A8G085WB-BICR بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT40A1G8SA-075:E | K4A8G085WB-BICR |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8Gbit (1G x 8) | — |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 MT/s | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | 0°C to +95°C | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| پیکیج | 78-FBGA (7.5x11 mm) | 78-ball FBGA |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Write Leveling | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| CRC Function | Supported | — |
| Data Mask Function | Supported | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8 Gb |
| تنظیم | — | 1G x 8 |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.2 V (VDD/VDDQ) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| پن کی تعداد | — | 78 |
| Temperature Grade | — | Industrial (I-grade) |
| Die / Process | — | Samsung 8Gb B-die DDR4 |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Refresh Management | — | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported |