MT40A512M16JY-075E vs E3AD8G16A4-HR তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT40A512M16JY-075E নির্দিষ্ট Micron Technology ও E3AD8G16A4-HR নির্দিষ্ট ELIXIR/NANYA. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MT40A512M16JY-075E | E3AD8G16A4-HR |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | ELIXIR/NANYA |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 8 Gbit | — |
| সংগঠন | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| ডেটা রেট | 2666 MT/s | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.14V to 1.26V | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| ইন্টারফেস | Parallel | — |
| প্যাকেজ | 96-FBGA (8x14) | TFBGA-96 |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| বৈশিষ্ট্য | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Density | — | 8 Gb |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V |
| CAS লেটেন্সি | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 (BC4 optional) |
| Number of Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | 0C to +95C (TCASE) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Speed Grade | — | DDR4-3200 |