MT40A512M16JY-075E vs E3AD8G16A4-HR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A512M16JY-075E द्वारा Micron Technology और E3AD8G16A4-HR द्वारा ELIXIR/NANYA. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A512M16JY-075E | E3AD8G16A4-HR |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | ELIXIR/NANYA |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit | — |
| संगठन | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| डेटा दर | 2666 MT/s | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.14V to 1.26V | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| पैकेज | 96-FBGA (8x14) | TFBGA-96 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| विशेषताएँ | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Density | — | 8 Gb |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| CAS लेटेंसी | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 (BC4 optional) |
| Number of Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0C to +95C (TCASE) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Speed Grade | — | DDR4-3200 |