MT40A512M16JY-07EAIT:B vs K4A8G165WC-BCRC তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT40A512M16JY-07EAIT:B নির্দিষ্ট Micron Technology ও K4A8G165WC-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electro-Mechanics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ সক্রিয়
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার MT40A512M16JY-07EAIT:B K4A8G165WC-BCRC
ব্র্যান্ড Micron Technology Samsung Electro-Mechanics
ক্যাটাগরি Memory ICs EEPROM
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
স্টক স্ট্যাটাস — In Stock
ইউনিট মূল্য (USD) — $19.69
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
মেমরি সাইজ 8 Gbit 8 Gbit
সংগঠন 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.33 GHz 1333 MHz
ডেটা রেট 2666 MT/s 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V, -125mV, +250mV —
ইন্টারফেস Parallel Parallel, 16-bit DDR
প্যাকেজ 96-FBGA (8x14) 96-FBGA (TFBGA)
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -40°C to +105°C (AIT grade) —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die, internal, adjustable —
AEC-Q100 Qualified (AIT suffix) —
RoHS Compliant —
সাপ্লাই ভোল্টেজ — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Standby Current (Idle) — 2 mA
Operating Current — 64 mA
অপারেটিং তাপমাত্রা — 0 C to +95 C
মাউন্টিং টাইপ — Surface Mount
বৈশিষ্ট্য — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Die Generation — C-die
Memory Format — DRAM
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট