MT40A512M16JY-07EAIT:B vs K4A8G165WC-BCRC Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MT40A512M16JY-07EAIT:B tarafından Micron Technology ve K4A8G165WC-BCRC tarafından Samsung Electro-MechanicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ AktifSamsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | MT40A512M16JY-07EAIT:B | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Samsung Electro-Mechanics |
| Kategori | Memory ICs | EEPROM |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Stok Durumu | — | In Stock |
| Birim Fiyat (USD) | — | $19,69 |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Bellek Boyutu | 8 Gbit | 8 Gbit |
| Organizasyon | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | 1333 MHz |
| Veri Hızı | 2666 MT/s | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V, -125mV, +250mV | — |
| Arayüz | Parallel | Parallel, 16-bit DDR |
| Paket | 96-FBGA (8x14) | 96-FBGA (TFBGA) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -40°C to +105°C (AIT grade) | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| AEC-Q100 | Qualified (AIT suffix) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Besleme Gerilimi | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Standby Current (Idle) | — | 2 mA |
| Operating Current | — | 64 mA |
| İşletim Sıcaklığı | — | 0 C to +95 C |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| Özellikler | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Die Generation | — | C-die |
| Memory Format | — | DRAM |
| RoHS Durumu | — | Compliant |