MT40A512M16JY-07EAIT:B vs K4A8G165WC-BCRC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A512M16JY-07EAIT:B توسط Micron Technology و K4A8G165WC-BCRC توسط Samsung Electro-Mechanics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ فعالSamsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | MT40A512M16JY-07EAIT:B | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Samsung Electro-Mechanics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | EEPROM |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | — | In Stock |
| قیمت واحد (USD) | — | $19.69 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gbit | 8 Gbit |
| سازمان | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | 1333 MHz |
| نرخ داده | 2666 MT/s | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V, -125mV, +250mV | — |
| رابط | Parallel | Parallel, 16-bit DDR |
| بسته‌بندی | 96-FBGA (8x14) | 96-FBGA (TFBGA) |
| محدوده دمای کاری | -40°C to +105°C (AIT grade) | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| AEC-Q100 | Qualified (AIT suffix) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Standby Current (Idle) | — | 2 mA |
| Operating Current | — | 64 mA |
| دمای کاری | — | 0 C to +95 C |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| ویژگی‌ها | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Die Generation | — | C-die |
| Memory Format | — | DRAM |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |