MT40A512M16LY-062E vs MT40A512M16LY-075:E তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT40A512M16LY-062E নির্দিষ্ট Micron Technology ও MT40A512M16LY-075:E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16LY-062E ✓ সক্রিয়Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron
MT40A512M16LY-075:E ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MT40A512M16LY-062E | MT40A512M16LY-075:E |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | Micron Technology |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 8 Gbit | 8 Gbit (512M x 16) |
| সংগঠন | 512M x 16 | — |
| ডেটা রেট | 3200 MT/s | 2666 MT/s |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1.33 GHz |
| Access Time | 19 ns | — |
| Supply Voltage VDD/VDDQ | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| Supply Voltage VPP | 2.5 V (-125 mV, +250 mV) | — |
| Bank Architecture | 16 banks in 2 groups of 4 (x16) | — |
| Refresh | 8192-cycle; 64 ms at -40C to +85C, 32 ms >85C to +95C, 16 ms >95C | — |
| I/O Interface | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| বৈশিষ্ট্য | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, data mask, auto precharge, async reset, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40C to +95C (IT grade) | — |
| প্যাকেজ | 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm) | 96-FBGA (7.5x13.5mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| CAS লেটেন্সি | — | 19 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| ইন্টারফেস | — | Parallel |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | 0°C to +95°C |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| Internal Banks (x16) | — | 8 banks (4 groups of 2) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| RoHS | — | Compliant |