MT40A512M16LY-062E vs MT40A512M16LY-075:E مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A512M16LY-062E توسط Micron Technology و MT40A512M16LY-075:E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
MT40A512M16LY-062E MT40A512M16LY-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16LY-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16LY-062E ✓ فعال
Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر MT40A512M16LY-062E MT40A512M16LY-075:E
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
وضعیت موجودی In Stock —
قیمت واحد (USD) $6.65 —
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
اندازه حافظه 8 Gbit 8 Gbit (512M x 16)
سازمان 512M x 16 —
نرخ داده 3200 MT/s 2666 MT/s
Clock Frequency 1.6 GHz 1.33 GHz
Access Time 19 ns —
Supply Voltage VDD/VDDQ 1.2 V +/- 60 mV —
Supply Voltage VPP 2.5 V (-125 mV, +250 mV) —
Bank Architecture 16 banks in 2 groups of 4 (x16) —
Refresh 8192-cycle; 64 ms at -40C to +85C, 32 ms >85C to +95C, 16 ms >95C —
I/O Interface 1.2 V pseudo open-drain —
ویژگی‌ها Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, data mask, auto precharge, async reset, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ —
دمای کاری -40C to +95C (IT grade) —
بسته‌بندی 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm) 96-FBGA (7.5x13.5mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant —
تأخیر CAS — 19
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Supply — 2.5V (-125mV, +250mV)
رابط — Parallel
محدوده دمای کاری — 0°C to +95°C
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
Internal Banks (x16) — 8 banks (4 groups of 2)
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
RoHS — Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت