MT40A512M16LY-062E vs MT40A512M16LY-075:E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A512M16LY-062E द्वारा Micron Technology और MT40A512M16LY-075:E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron
MT40A512M16LY-075:E ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A512M16LY-062E | MT40A512M16LY-075:E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | In Stock | — |
| यूनिट मूल्य (USD) | $6.65 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit | 8 Gbit (512M x 16) |
| संगठन | 512M x 16 | — |
| डेटा दर | 3200 MT/s | 2666 MT/s |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1.33 GHz |
| Access Time | 19 ns | — |
| Supply Voltage VDD/VDDQ | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| Supply Voltage VPP | 2.5 V (-125 mV, +250 mV) | — |
| Bank Architecture | 16 banks in 2 groups of 4 (x16) | — |
| Refresh | 8192-cycle; 64 ms at -40C to +85C, 32 ms >85C to +95C, 16 ms >95C | — |
| I/O Interface | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| विशेषताएँ | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, data mask, auto precharge, async reset, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +95C (IT grade) | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm) | 96-FBGA (7.5x13.5mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| CAS लेटेंसी | — | 19 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | 0°C to +95°C |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| Internal Banks (x16) | — | 8 banks (4 groups of 2) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| RoHS | — | Compliant |