RTAX2000DL-1CQ352B vs RTAX2000DL-CQ352B তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা RTAX2000DL-1CQ352B নির্দিষ্ট Microchip Technology ও RTAX2000DL-CQ352B নির্দিষ্ট Microchip Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Microchip Technology
RTAX2000DL-1CQ352B - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA, CQFP-352 | Microchip
RTAX2000DL-1CQ352B ✓ সক্রিয়Microchip Technology
RTAX2000DL-CQ352B - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000DL-CQ352B ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | RTAX2000DL-1CQ352B | RTAX2000DL-CQ352B |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ক্যাটাগরি | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Equivalent System Gates | 2000000 | 2,000,000 |
| Logic Cells | 29568 | [DATA_NEEDED: Logic Cells] |
| Configurable Logic Blocks (CLBs) | 19712 | — |
| Core Supply Voltage (Nominal) | 1.5 V | 1.5 V |
| Core Supply Voltage Range | 1.425 V to 1.575 V | 1.425 V to 1.575 V |
| Maximum Combinatorial Delay | 0.930 ns | — |
| DSP Mathblocks (max) | 120 | — |
| DSP MAC Performance | 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate | 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate |
| Embedded Memory | 540 kbits (with optional EDAC protection) | Up to 540 kbits with optional EDAC protection |
| Technology | CMOS, antifuse (OTP, nonvolatile) | — |
| Total Ionizing Dose (Functional) | 300 krad (Si) | 300 krad (Si) |
| Total Ionizing Dose (Parametric) | 200 krad (Si) | — |
| প্যাকেজ | CQFP-352 (ceramic quad flat pack) | 352-terminal ceramic CQFP, metal-sealed |
| Terminal Count | 352 | — |
| Input / Output Terminals | 166 input, 166 output | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Radiation Tolerance Class | Radiation-tolerant (space-flight) | — |
| Configuration | Live at power-up (antifuse, single chip) | Live at power-up, no external boot PROM required |
| CLBs | — | 19,712 |
| DSP Mathblocks | — | Up to 120 |
| Programming Technology | — | Nonvolatile antifuse |
| Total Ionizing Dose (Parameter) | — | 200 krad (Si) |
| Terminal Pitch | — | 0.500 mm |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Application Domain | — | Space flight systems |