RTAX2000DL-1CQ352B vs RTAX2000DL-CQ352B موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از RTAX2000DL-1CQ352B بذریعہ Microchip Technology اور RTAX2000DL-CQ352B بذریعہ Microchip Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Microchip Technology
RTAX2000DL-1CQ352B - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA, CQFP-352 | Microchip
RTAX2000DL-1CQ352B ✓ فعالMicrochip Technology
RTAX2000DL-CQ352B - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000DL-CQ352B ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | RTAX2000DL-1CQ352B | RTAX2000DL-CQ352B |
|---|---|---|
| برانڈ | Microchip Technology | Microchip Technology |
| زمرہ | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Equivalent System Gates | 2000000 | 2,000,000 |
| Logic Cells | 29568 | [DATA_NEEDED: Logic Cells] |
| Configurable Logic Blocks (CLBs) | 19712 | — |
| Core Supply Voltage (Nominal) | 1.5 V | 1.5 V |
| Core Supply Voltage Range | 1.425 V to 1.575 V | 1.425 V to 1.575 V |
| Maximum Combinatorial Delay | 0.930 ns | — |
| DSP Mathblocks (max) | 120 | — |
| DSP MAC Performance | 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate | 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate |
| Embedded Memory | 540 kbits (with optional EDAC protection) | Up to 540 kbits with optional EDAC protection |
| Technology | CMOS, antifuse (OTP, nonvolatile) | — |
| Total Ionizing Dose (Functional) | 300 krad (Si) | 300 krad (Si) |
| Total Ionizing Dose (Parametric) | 200 krad (Si) | — |
| پیکیج | CQFP-352 (ceramic quad flat pack) | 352-terminal ceramic CQFP, metal-sealed |
| Terminal Count | 352 | — |
| Input / Output Terminals | 166 input, 166 output | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Radiation Tolerance Class | Radiation-tolerant (space-flight) | — |
| Configuration | Live at power-up (antifuse, single chip) | Live at power-up, no external boot PROM required |
| CLBs | — | 19,712 |
| DSP Mathblocks | — | Up to 120 |
| Programming Technology | — | Nonvolatile antifuse |
| Total Ionizing Dose (Parameter) | — | 200 krad (Si) |
| Terminal Pitch | — | 0.500 mm |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Application Domain | — | Space flight systems |