RTAX2000DL-1CQ352B vs RTAX2000DL-CQ352B So sánh
So sánh chi tiết song song của RTAX2000DL-1CQ352B bằng Microchip Technology và RTAX2000DL-CQ352B bằng Microchip Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Microchip Technology
RTAX2000DL-1CQ352B - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA, CQFP-352 | Microchip
RTAX2000DL-1CQ352B ✓ Hoạt độngMicrochip Technology
RTAX2000DL-CQ352B - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000DL-CQ352B ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | RTAX2000DL-1CQ352B | RTAX2000DL-CQ352B |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Danh mục | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Equivalent System Gates | 2000000 | 2,000,000 |
| Logic Cells | 29568 | [DATA_NEEDED: Logic Cells] |
| Configurable Logic Blocks (CLBs) | 19712 | — |
| Core Supply Voltage (Nominal) | 1.5 V | 1.5 V |
| Core Supply Voltage Range | 1.425 V to 1.575 V | 1.425 V to 1.575 V |
| Maximum Combinatorial Delay | 0.930 ns | — |
| DSP Mathblocks (max) | 120 | — |
| DSP MAC Performance | 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate | 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate |
| Embedded Memory | 540 kbits (with optional EDAC protection) | Up to 540 kbits with optional EDAC protection |
| Technology | CMOS, antifuse (OTP, nonvolatile) | — |
| Total Ionizing Dose (Functional) | 300 krad (Si) | 300 krad (Si) |
| Total Ionizing Dose (Parametric) | 200 krad (Si) | — |
| Hộp | CQFP-352 (ceramic quad flat pack) | 352-terminal ceramic CQFP, metal-sealed |
| Terminal Count | 352 | — |
| Input / Output Terminals | 166 input, 166 output | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Radiation Tolerance Class | Radiation-tolerant (space-flight) | — |
| Configuration | Live at power-up (antifuse, single chip) | Live at power-up, no external boot PROM required |
| CLBs | — | 19,712 |
| DSP Mathblocks | — | Up to 120 |
| Programming Technology | — | Nonvolatile antifuse |
| Total Ionizing Dose (Parameter) | — | 200 krad (Si) |
| Terminal Pitch | — | 0.500 mm |
| Nhiệt độ hoạt động | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Application Domain | — | Space flight systems |