W971GG6SB25I vs MT47H64M16HR-25E IT:H তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা W971GG6SB25I নির্দিষ্ট Winbond ও MT47H64M16HR-25E IT:H নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Winbond
W971GG6SB25I W971GG6SB25I - 1Gbit DDR2 SDRAM | Winbond | 84-WBGA

W971GG6SB25I - 1Gbit DDR2 SDRAM | Winbond | 84-WBGA

W971GG6SB25I ✓ সক্রিয়
Micron Technology
MT47H64M16HR-25E IT:H MT47H64M16HR-25E IT:H - 1Gb DDR2 SDRAM 400MHz 84-FBGA | Micron

MT47H64M16HR-25E IT:H - 1Gb DDR2 SDRAM 400MHz 84-FBGA | Micron

MT47H64M16HR-25E IT:H ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার W971GG6SB25I MT47H64M16HR-25E IT:H
ব্র্যান্ড Winbond Micron Technology
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ Volatile, DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM (volatile)
Density 1 Gbit (1,073,741,824 bits) —
সংগঠন 8M words × 8 banks × 16 bits 8 Meg x 16 x 8 banks
Maximum Data Rate 400 MT/s (DDR2-800) —
Clock Frequency 200 MHz 400 MHz
Random Access Time 57.5 ns —
Bus Width 16 bits —
Supply Voltage (VDD / V_DDQ) 1.8 V (JEDEC SSTL-18) —
ইন্টারফেস টাইপ Parallel, SSTL-18 —
অপারেটিং তাপমাত্রা -40 °C to +85 °C (industrial) -40C to +85C (Industrial, IT:H)
Package Type 84-WBGA / 84-TFBGA, 8.0 × 12.5 mm —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount —
Number of Pins / Balls 84 —
Bank Count 8 —
On-Die Termination (ODT) Yes (per JEDEC DDR2) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Speed Grade Suffix 25I (DDR2-800 6-6-6, industrial) —
Compliance JEDEC DDR2 standard —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (lead-free) Compliant (lead-free)
মেমরি সাইজ — 1 Gbit (64M x 16)
Access Time — 400 ps
Data Rate (effective) — 800 MT/s
ইন্টারফেস — Parallel (byte-wide)
Prefetch Architecture — 4n-bit
Supply Voltage VDD — 1.8 V ±0.1 V
Supply Voltage VDDQ — 1.8 V ±0.1 V (SSTL_18)
I/O Standard — JEDEC SSTL_18-compatible
Data Strobe — Differential (DQS, DQS#)
প্যাকেজ — 84-TFBGA (8 mm x 12.5 mm)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট