W971GG6SB25I vs MT47H64M16HR-25E IT:H Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci W971GG6SB25I disebabkan oleh Winbond dan MT47H64M16HR-25E IT:H disebabkan oleh Micron Technology. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Micron Technology
MT47H64M16HR-25E IT:H MT47H64M16HR-25E IT:H - 1Gb DDR2 SDRAM 400MHz 84-FBGA | Micron

MT47H64M16HR-25E IT:H - 1Gb DDR2 SDRAM 400MHz 84-FBGA | Micron

MT47H64M16HR-25E IT:H ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr W971GG6SB25I MT47H64M16HR-25E IT:H
Merek Winbond Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Jenis Ingatan Volatile, DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM (volatile)
Density 1 Gbit (1,073,741,824 bits) —
Organisasi 8M words × 8 banks × 16 bits 8 Meg x 16 x 8 banks
Maximum Data Rate 400 MT/s (DDR2-800) —
Clock Frequency 200 MHz 400 MHz
Random Access Time 57.5 ns —
Bus Width 16 bits —
Supply Voltage (VDD / V_DDQ) 1.8 V (JEDEC SSTL-18) —
Jenis Antaramuka Parallel, SSTL-18 —
Suhu Operasi -40 °C to +85 °C (industrial) -40C to +85C (Industrial, IT:H)
Package Type 84-WBGA / 84-TFBGA, 8.0 × 12.5 mm —
Jenis Pemasangan Surface Mount —
Number of Pins / Balls 84 —
Bank Count 8 —
On-Die Termination (ODT) Yes (per JEDEC DDR2) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Speed Grade Suffix 25I (DDR2-800 6-6-6, industrial) —
Compliance JEDEC DDR2 standard —
Status RoHS Compliant (lead-free) Compliant (lead-free)
Saiz Ingatan — 1 Gbit (64M x 16)
Access Time — 400 ps
Data Rate (effective) — 800 MT/s
Antaramuka — Parallel (byte-wide)
Prefetch Architecture — 4n-bit
Supply Voltage VDD — 1.8 V ±0.1 V
Supply Voltage VDDQ — 1.8 V ±0.1 V (SSTL_18)
I/O Standard — JEDEC SSTL_18-compatible
Data Strobe — Differential (DQS, DQS#)
Kemasan — 84-TFBGA (8 mm x 12.5 mm)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga