1ED3127MU12FXUMA1 vs 2EDN7533RXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1ED3127MU12FXUMA1 von Infineon und 2EDN7533RXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1ED3127MU12FXUMA1 2EDN7533RXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,74 $0,55
Funktion Single-channel isolated gate driver Dual-channel low-side gate driver
Anzahl der Ausgänge 1 —
Ausgangskonfiguration High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting —
Peak Output Current 10 A (source/sink) —
Continuous Output Current 9 A —
Supply Voltage (VCC2 secondary) 12 V to 35 V —
Supply Voltage (VCC1 primary) 3 V to 5.5 V —
Propagation Delay (typ.) 15 ns 19 ns
Delay Matching (typ.) 30 ns —
Galvanic Isolation 3000 Vrms (coreless transformer) —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Protection Features Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection —
Gehäuse PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body) PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Drives IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
Number of Channels — 2
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Rise/Fall Time — 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -40 C to +150 C

Datenblätter & Ressourcen

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