1ED3127MU12FXUMA1 vs 2EDN7533RXTMA1 比較

詳細な並列比較: 1ED3127MU12FXUMA1 メーカー: Infineon および 2EDN7533RXTMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
1ED3127MU12FXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver 3kV | Infineon

1ED3127MU12FXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver 3kV | Infineon

1ED3127MU12FXUMA1 ✓ 生産中
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2EDN7533RXTMA1 2EDN7533RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7533RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7533RXTMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 1ED3127MU12FXUMA1 2EDN7533RXTMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.74 $0.55
機能 Single-channel isolated gate driver Dual-channel low-side gate driver
出力数 1 —
出力構成 High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting —
Peak Output Current 10 A (source/sink) —
Continuous Output Current 9 A —
Supply Voltage (VCC2 secondary) 12 V to 35 V —
Supply Voltage (VCC1 primary) 3 V to 5.5 V —
Propagation Delay (typ.) 15 ns 19 ns
Delay Matching (typ.) 30 ns —
Galvanic Isolation 3000 Vrms (coreless transformer) —
動作温度範囲 -40C to +125C —
Protection Features Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection —
パッケージ PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body) PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
Drives IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
Number of Channels — 2
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Rise/Fall Time — 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
動作接合温度 — -40 C to +150 C

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