1ED3127MU12FXUMA1 vs 2EDN7533RXTMA1 비교

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Infineon
1ED3127MU12FXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver 3kV | Infineon

1ED3127MU12FXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver 3kV | Infineon

1ED3127MU12FXUMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 1ED3127MU12FXUMA1 2EDN7533RXTMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.74 $0.55
기능 Single-channel isolated gate driver Dual-channel low-side gate driver
출력 수 1 —
출력 구성 High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting —
Peak Output Current 10 A (source/sink) —
Continuous Output Current 9 A —
Supply Voltage (VCC2 secondary) 12 V to 35 V —
Supply Voltage (VCC1 primary) 3 V to 5.5 V —
Propagation Delay (typ.) 15 ns 19 ns
Delay Matching (typ.) 30 ns —
Galvanic Isolation 3000 Vrms (coreless transformer) —
동작 온도 범위 -40C to +125C —
Protection Features Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection —
패키지 PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body) PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
Drives IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
Number of Channels — 2
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Rise/Fall Time — 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
동작 접합 온도 — -40 C to +150 C

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