1ED3127MU12FXUMA1 vs 2EDN7533RXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1ED3127MU12FXUMA1 por Infineon e 2EDN7533RXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1ED3127MU12FXUMA1 2EDN7533RXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,74 $0,55
Função Single-channel isolated gate driver Dual-channel low-side gate driver
Número de saídas 1 —
Configuração de saída High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting —
Peak Output Current 10 A (source/sink) —
Continuous Output Current 9 A —
Supply Voltage (VCC2 secondary) 12 V to 35 V —
Supply Voltage (VCC1 primary) 3 V to 5.5 V —
Propagation Delay (typ.) 15 ns 19 ns
Delay Matching (typ.) 30 ns —
Galvanic Isolation 3000 Vrms (coreless transformer) —
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C —
Protection Features Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection —
Encapsulamento PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body) PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Drives IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
Number of Channels — 2
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Rise/Fall Time — 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
Temperatura de junção de operação — -40 C to +150 C

Fichas técnicas e recursos

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