1ED3142MC12HXUMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1ED3142MC12HXUMA1 von Infineon und 1EDN7126GXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1ED3142MC12HXUMA1 1EDN7126GXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,32 $0,29
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number 1ED3142MC12HXUMA1 —
Product Family EiceDRIVER X3 Compact —
Driver Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Coreless transformer (galvanic) —
Isolation Voltage 3000 Vrms —
Number of Channels 1 —
Anzahl der Ausgänge 2 (separate source/sink) —
Configuration Inverting, Non-Inverting Non-Inverting
Source Drive Current 6 A —
Sink Drive Current 6.5 A —
Maximum Rise Time 20 ns —
Maximum Fall Time 20 ns —
Propagation Delay (typ.) 40 ns —
Supported Switches IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
Gehäuse PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1) PG-VSON-10-4
Montageart Surface Mount Surface Mount
EU RoHS Compliant —
Part Status Active —
ECCN EAR99 —
Funktion — Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Peak Source Current — 1.5 A
Peak Sink Current — 1.5 A
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Betriebstemperaturbereich — -40C to +125C
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS-Status — Compliant
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)

Datenblätter & Ressourcen

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