1ED3142MC12HXUMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1ED3142MC12HXUMA1 par Infineon et 1EDN7126GXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1ED3142MC12HXUMA1 1EDN7126GXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,32 $0,29
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number 1ED3142MC12HXUMA1 —
Product Family EiceDRIVER X3 Compact —
Driver Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Coreless transformer (galvanic) —
Isolation Voltage 3000 Vrms —
Number of Channels 1 —
Nombre de sorties 2 (separate source/sink) —
Configuration Inverting, Non-Inverting Non-Inverting
Source Drive Current 6 A —
Sink Drive Current 6.5 A —
Maximum Rise Time 20 ns —
Maximum Fall Time 20 ns —
Propagation Delay (typ.) 40 ns —
Supported Switches IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
Boîtier PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1) PG-VSON-10-4
Type de montage Surface Mount Surface Mount
EU RoHS Compliant —
Part Status Active —
ECCN EAR99 —
Fonction — Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Peak Source Current — 1.5 A
Peak Sink Current — 1.5 A
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Plage de température de fonctionnement — -40C to +125C
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS — Compliant
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis