1ED3142MC12HXUMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1ED3142MC12HXUMA1 por Infineon e 1EDN7126GXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1ED3142MC12HXUMA1 1EDN7126GXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,32 $0,29
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number 1ED3142MC12HXUMA1 —
Product Family EiceDRIVER X3 Compact —
Driver Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Coreless transformer (galvanic) —
Isolation Voltage 3000 Vrms —
Number of Channels 1 —
Número de saídas 2 (separate source/sink) —
Configuration Inverting, Non-Inverting Non-Inverting
Source Drive Current 6 A —
Sink Drive Current 6.5 A —
Maximum Rise Time 20 ns —
Maximum Fall Time 20 ns —
Propagation Delay (typ.) 40 ns —
Supported Switches IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
Encapsulamento PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1) PG-VSON-10-4
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
EU RoHS Compliant —
Part Status Active —
ECCN EAR99 —
Função — Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Peak Source Current — 1.5 A
Peak Sink Current — 1.5 A
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Faixa de temperatura de operação — -40C to +125C
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS — Compliant
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)

Fichas técnicas e recursos

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