1ED3142MC12HXUMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1ED3142MC12HXUMA1 por Infineon y 1EDN7126GXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1ED3142MC12HXUMA1 1EDN7126GXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,32 $0,29
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number 1ED3142MC12HXUMA1 —
Product Family EiceDRIVER X3 Compact —
Driver Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Coreless transformer (galvanic) —
Isolation Voltage 3000 Vrms —
Number of Channels 1 —
Número de salidas 2 (separate source/sink) —
Configuration Inverting, Non-Inverting Non-Inverting
Source Drive Current 6 A —
Sink Drive Current 6.5 A —
Maximum Rise Time 20 ns —
Maximum Fall Time 20 ns —
Propagation Delay (typ.) 40 ns —
Supported Switches IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
Encapsulado PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1) PG-VSON-10-4
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
EU RoHS Compliant —
Part Status Active —
ECCN EAR99 —
Función — Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Peak Source Current — 1.5 A
Peak Sink Current — 1.5 A
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Rango de temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Estado RoHS — Compliant
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización