1ED44173N01BXTSA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1ED44173N01BXTSA1 von Infineon und 1EDN7126GXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1ED44173N01BXTSA1 1EDN7126GXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,42 $0,29
Product Type Low-Side MOSFET Gate Driver —
Number of Channels 1 —
Configuration Non-Inverting Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 25 V —
Output Current (Source) 2.6 A typical —
Output Current (Sink) 2.6 A typical —
Anstiegszeit [DATA_NEEDED: rise time] —
Abfallzeit [DATA_NEEDED: fall time] —
Propagation Delay < 100 ns typical —
Ruhestrom 0.4 mA typical —
Over-Current Protection Yes (integrated, 4.5 V to 25 V threshold) —
Fault Reporting Yes (open-drain FAULT pin) —
Enable-Pin Yes —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Betriebstemperatur -40 C to +125 C —
Gehäuse PG-SOT23-6-3 (6-pin) PG-VSON-10-4
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Funktion — Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Peak Source Current — 1.5 A
Peak Sink Current — 1.5 A
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Betriebstemperaturbereich — -40C to +125C
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)

Datenblätter & Ressourcen

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