1ED44173N01BXTSA1 vs 1EDN7126GXTMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: 1ED44173N01BXTSA1 제조: Infineon 및 1EDN7126GXTMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | 1ED44173N01BXTSA1 | 1EDN7126GXTMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.42 | $0.29 |
| Product Type | Low-Side MOSFET Gate Driver | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Configuration | Non-Inverting | Non-Inverting |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 25 V | — |
| Output Current (Source) | 2.6 A typical | — |
| Output Current (Sink) | 2.6 A typical | — |
| 상승 시간 | [DATA_NEEDED: rise time] | — |
| 하강 시간 | [DATA_NEEDED: fall time] | — |
| Propagation Delay | < 100 ns typical | — |
| 대기 전류 | 0.4 mA typical | — |
| Over-Current Protection | Yes (integrated, 4.5 V to 25 V threshold) | — |
| Fault Reporting | Yes (open-drain FAULT pin) | — |
| 인에이블 핀 | Yes | — |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | Yes | — |
| 동작 온도 | -40 C to +125 C | — |
| 패키지 | PG-SOT23-6-3 (6-pin) | PG-VSON-10-4 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 기능 | — | Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET |
| Channel Type | — | Single |
| Driven Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: VCC max value] |
| Peak Source Current | — | 1.5 A |
| Peak Sink Current | — | 1.5 A |
| Common-Mode Voltage (CMR) | — | 200 V |
| Input Type | — | Truly Differential Input (TDI) |
| Propagation Delay (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: tpd typical value] |
| Rise / Fall Time (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] |
| 동작 온도 범위 | — | -40C to +125C |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Reach | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Input Logic Compatibility | — | 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) |