1ED44173N01BXTSA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1ED44173N01BXTSA1 por Infineon e 1EDN7126GXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1ED44173N01BXTSA1 1EDN7126GXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,42 $0,29
Product Type Low-Side MOSFET Gate Driver —
Number of Channels 1 —
Configuration Non-Inverting Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 25 V —
Output Current (Source) 2.6 A typical —
Output Current (Sink) 2.6 A typical —
Tempo de subida [DATA_NEEDED: rise time] —
Tempo de descida [DATA_NEEDED: fall time] —
Propagation Delay < 100 ns typical —
Corrente de repouso 0.4 mA typical —
Over-Current Protection Yes (integrated, 4.5 V to 25 V threshold) —
Fault Reporting Yes (open-drain FAULT pin) —
Pino de habilitação Yes —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Temperatura de operação -40 C to +125 C —
Encapsulamento PG-SOT23-6-3 (6-pin) PG-VSON-10-4
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Função — Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Peak Source Current — 1.5 A
Peak Sink Current — 1.5 A
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Faixa de temperatura de operação — -40C to +125C
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)

Fichas técnicas e recursos

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