1ED44173N01BXTSA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1ED44173N01BXTSA1 par Infineon et 1EDN7126GXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1ED44173N01BXTSA1 1EDN7126GXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,42 $0,29
Product Type Low-Side MOSFET Gate Driver —
Number of Channels 1 —
Configuration Non-Inverting Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 25 V —
Output Current (Source) 2.6 A typical —
Output Current (Sink) 2.6 A typical —
Temps de montée [DATA_NEEDED: rise time] —
Temps de descente [DATA_NEEDED: fall time] —
Propagation Delay < 100 ns typical —
Courant de repos 0.4 mA typical —
Over-Current Protection Yes (integrated, 4.5 V to 25 V threshold) —
Fault Reporting Yes (open-drain FAULT pin) —
Broche d'activation Yes —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Température de fonctionnement -40 C to +125 C —
Boîtier PG-SOT23-6-3 (6-pin) PG-VSON-10-4
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Fonction — Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Peak Source Current — 1.5 A
Peak Sink Current — 1.5 A
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Plage de température de fonctionnement — -40C to +125C
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)

Fiches techniques et ressources

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