1EDB8275FXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDB8275FXUMA1 von Infineon und 2ED2183S06FXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDB8275FXUMA1 2ED2183S06FXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,72 $1,05
Funktion Single-channel isolated gate driver —
Number of Channels 1 —
Isolation Type Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (Vrms) 3000 Vrms —
Peak Source Current (typ.) 5.4 A —
Peak Sink Current (typ.) 9.8 A —
CMTI (min.) 300 V/ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Output-side Supply Voltage Up to 40 V (per datasheet family) —
Input-side Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC input range] —
UVLO Yes (input and output side) —
Miller Clamp Available in family —
Gehäuse PG-DSO-8 (150 mil wide-body) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C (industrial) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Drivers — 1
Anzahl der Ausgänge — 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Configuration — High Side, Low Side, Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
Anstiegszeit — 15 ns
Abfallzeit — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V (typ.)
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Input Type — Non-Inverting
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — VCC and VBS
Betriebstemperatur — -40 C to +125 C
MSL-Level — 2
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator)

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