1EDB8275FXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 1EDB8275FXUMA1 от Infineon и 2ED2183S06FXUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
1EDB8275FXUMA1 1EDB8275FXUMA1 - 5.4/9.8A Isolated Gate Driver | Infineon

1EDB8275FXUMA1 - 5.4/9.8A Isolated Gate Driver | Infineon

1EDB8275FXUMA1 ✓ Активен
Infineon
2ED2183S06FXUMA1 2ED2183S06FXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2183S06FXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2183S06FXUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 1EDB8275FXUMA1 2ED2183S06FXUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,72 $1,05
Функция Single-channel isolated gate driver —
Number of Channels 1 —
Isolation Type Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (Vrms) 3000 Vrms —
Peak Source Current (typ.) 5.4 A —
Peak Sink Current (typ.) 9.8 A —
CMTI (min.) 300 V/ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Output-side Supply Voltage Up to 40 V (per datasheet family) —
Input-side Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC input range] —
UVLO Yes (input and output side) —
Miller Clamp Available in family —
Корпус PG-DSO-8 (150 mil wide-body) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Диапазон рабочих температур -40 C to +125 C (industrial) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant Compliant
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Drivers — 1
Количество выходов — 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Configuration — High Side, Low Side, Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
Время нарастания — 15 ns
Время спада — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V (typ.)
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Input Type — Non-Inverting
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — VCC and VBS
Рабочая температура — -40 C to +125 C
Уровень MSL — 2
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену