1EDB8275FXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 1EDB8275FXUMA1 par Infineon et 2ED2183S06FXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 1EDB8275FXUMA1 | 2ED2183S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,72 | $1,05 |
| Fonction | Single-channel isolated gate driver | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Isolation Type | Magnetic coupling (coreless transformer) | — |
| Isolation Voltage (Vrms) | 3000 Vrms | — |
| Peak Source Current (typ.) | 5.4 A | — |
| Peak Sink Current (typ.) | 9.8 A | — |
| CMTI (min.) | 300 V/ns | — |
| Propagation Delay (typ.) | [DATA_NEEDED: propagation delay value] | — |
| Output-side Supply Voltage | Up to 40 V (per datasheet family) | — |
| Input-side Supply Voltage | [DATA_NEEDED: VCC input range] | — |
| UVLO | Yes (input and output side) | — |
| Miller Clamp | Available in family | — |
| Boîtier | PG-DSO-8 (150 mil wide-body) | PG-DSO-8-53 (DSO-8) |
| Plage de température de fonctionnement | -40 C to +125 C (industrial) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Driver Type | — | Half-Bridge Gate Driver |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Nombre de sorties | — | 1 (half-bridge: high-side + low-side) |
| Configuration | — | High Side, Low Side, Non-Inverting |
| Maximum Offset Voltage | — | 650 V |
| Output Current (Sink/Source) | — | 2.5 A typical |
| Temps de montée | — | 15 ns |
| Temps de descente | — | 15 ns |
| Supply Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| Bootstrap Supply (VBS) | — | 10 V to 20 V (typ.) |
| Logic Input Voltage | — | 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN) |
| Input Type | — | Non-Inverting |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | — | VCC and VBS |
| Température de fonctionnement | — | -40 C to +125 C |
| Niveau MSL | — | 2 |
| Terminal Finish | — | Tin (e3 per JESD-609) |
| Technology | — | SOI (Silicon-On-Insulator) |