1EDB8275FXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de 1EDB8275FXUMA1 por Infineon e 2ED2183S06FXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | 1EDB8275FXUMA1 | 2ED2183S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,72 | $1,05 |
| Função | Single-channel isolated gate driver | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Isolation Type | Magnetic coupling (coreless transformer) | — |
| Isolation Voltage (Vrms) | 3000 Vrms | — |
| Peak Source Current (typ.) | 5.4 A | — |
| Peak Sink Current (typ.) | 9.8 A | — |
| CMTI (min.) | 300 V/ns | — |
| Propagation Delay (typ.) | [DATA_NEEDED: propagation delay value] | — |
| Output-side Supply Voltage | Up to 40 V (per datasheet family) | — |
| Input-side Supply Voltage | [DATA_NEEDED: VCC input range] | — |
| UVLO | Yes (input and output side) | — |
| Miller Clamp | Available in family | — |
| Encapsulamento | PG-DSO-8 (150 mil wide-body) | PG-DSO-8-53 (DSO-8) |
| Faixa de temperatura de operação | -40 C to +125 C (industrial) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Driver Type | — | Half-Bridge Gate Driver |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Número de saídas | — | 1 (half-bridge: high-side + low-side) |
| Configuration | — | High Side, Low Side, Non-Inverting |
| Maximum Offset Voltage | — | 650 V |
| Output Current (Sink/Source) | — | 2.5 A typical |
| Tempo de subida | — | 15 ns |
| Tempo de descida | — | 15 ns |
| Supply Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| Bootstrap Supply (VBS) | — | 10 V to 20 V (typ.) |
| Logic Input Voltage | — | 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN) |
| Input Type | — | Non-Inverting |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | — | VCC and VBS |
| Temperatura de operação | — | -40 C to +125 C |
| Nível MSL | — | 2 |
| Terminal Finish | — | Tin (e3 per JESD-609) |
| Technology | — | SOI (Silicon-On-Insulator) |