1EDI60H12AHXUMA1 vs 1ED3122MC12HXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDI60H12AHXUMA1 von Infineon und 1ED3122MC12HXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDI60H12AHXUMA1 1ED3122MC12HXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,18 $1,92
Product Type Single-channel high-side gate driver IC Isolated Gate Driver (single-channel)
Isolation Technology Galvanic isolation via coreless transformer Coreless Transformer (CT)
Isolation Voltage Rating 1200 V —
Number of Channels 1 1
Peak Source Current (typ.) 10.0 A —
Peak Sink Current (typ.) 9.4 A —
Ausgangskonfiguration Separate source and sink (SEP) outputs —
Input Compatibility CMOS / TTL logic —
Driven Device IGBT (and MOSFET / SiC compatible) —
Gehäuse PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage) PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Creepage Distance 8 mm —
Short-Circuit Protection Short-circuit clamping —
MSL-Level 2 (1 year floor life) 2
RoHS-Status Compliant Compliant
Betriebstemperatur -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet] -40 C to +125 C
Isolation Voltage (Vrms) — 5.7 kVrms
Maximum Transient Isolation (Vpk) — 8 kVpk
Output Current (source / sink) — 10 A / 9 A
Configuration — High-side, non-inverting
Supply Voltage (VCC / VBS) — 8 V to 35 V
Propagation Delay (typ.) — 30 ns
Rise Time / Fall Time (typ.) — 15 ns / 30 ns
Miller Clamp — Active (integrated)
Short-Circuit Clamping — Yes
UVLO — Primary and secondary side

Datenblätter & Ressourcen

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