1EDI60H12AHXUMA1 vs 1ED3122MC12HXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDI60H12AHXUMA1 par Infineon et 1ED3122MC12HXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDI60H12AHXUMA1 1ED3122MC12HXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,18 $1,92
Product Type Single-channel high-side gate driver IC Isolated Gate Driver (single-channel)
Isolation Technology Galvanic isolation via coreless transformer Coreless Transformer (CT)
Isolation Voltage Rating 1200 V —
Number of Channels 1 1
Peak Source Current (typ.) 10.0 A —
Peak Sink Current (typ.) 9.4 A —
Configuration de sortie Separate source and sink (SEP) outputs —
Input Compatibility CMOS / TTL logic —
Driven Device IGBT (and MOSFET / SiC compatible) —
Boîtier PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage) PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Creepage Distance 8 mm —
Short-Circuit Protection Short-circuit clamping —
Niveau MSL 2 (1 year floor life) 2
Statut RoHS Compliant Compliant
Température de fonctionnement -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet] -40 C to +125 C
Isolation Voltage (Vrms) — 5.7 kVrms
Maximum Transient Isolation (Vpk) — 8 kVpk
Output Current (source / sink) — 10 A / 9 A
Configuration — High-side, non-inverting
Supply Voltage (VCC / VBS) — 8 V to 35 V
Propagation Delay (typ.) — 30 ns
Rise Time / Fall Time (typ.) — 15 ns / 30 ns
Miller Clamp — Active (integrated)
Short-Circuit Clamping — Yes
UVLO — Primary and secondary side

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