1EDI60H12AHXUMA1 vs 1ED3122MC12HXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 1EDI60H12AHXUMA1 제조: Infineon 및 1ED3122MC12HXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 1EDI60H12AHXUMA1 1ED3122MC12HXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.18 $1.92
Product Type Single-channel high-side gate driver IC Isolated Gate Driver (single-channel)
Isolation Technology Galvanic isolation via coreless transformer Coreless Transformer (CT)
Isolation Voltage Rating 1200 V —
Number of Channels 1 1
Peak Source Current (typ.) 10.0 A —
Peak Sink Current (typ.) 9.4 A —
출력 구성 Separate source and sink (SEP) outputs —
Input Compatibility CMOS / TTL logic —
Driven Device IGBT (and MOSFET / SiC compatible) —
패키지 PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage) PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Creepage Distance 8 mm —
Short-Circuit Protection Short-circuit clamping —
MSL 레벨 2 (1 year floor life) 2
RoHS 상태 Compliant Compliant
동작 온도 -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet] -40 C to +125 C
Isolation Voltage (Vrms) — 5.7 kVrms
Maximum Transient Isolation (Vpk) — 8 kVpk
Output Current (source / sink) — 10 A / 9 A
Configuration — High-side, non-inverting
Supply Voltage (VCC / VBS) — 8 V to 35 V
Propagation Delay (typ.) — 30 ns
Rise Time / Fall Time (typ.) — 15 ns / 30 ns
Miller Clamp — Active (integrated)
Short-Circuit Clamping — Yes
UVLO — Primary and secondary side

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