1EDI60H12AHXUMA1 vs 1ED3122MC12HXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDI60H12AHXUMA1 por Infineon y 1ED3122MC12HXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDI60H12AHXUMA1 1ED3122MC12HXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,18 $1,92
Product Type Single-channel high-side gate driver IC Isolated Gate Driver (single-channel)
Isolation Technology Galvanic isolation via coreless transformer Coreless Transformer (CT)
Isolation Voltage Rating 1200 V —
Number of Channels 1 1
Peak Source Current (typ.) 10.0 A —
Peak Sink Current (typ.) 9.4 A —
Configuración de salida Separate source and sink (SEP) outputs —
Input Compatibility CMOS / TTL logic —
Driven Device IGBT (and MOSFET / SiC compatible) —
Encapsulado PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage) PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Creepage Distance 8 mm —
Short-Circuit Protection Short-circuit clamping —
Nivel MSL 2 (1 year floor life) 2
Estado RoHS Compliant Compliant
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet] -40 C to +125 C
Isolation Voltage (Vrms) — 5.7 kVrms
Maximum Transient Isolation (Vpk) — 8 kVpk
Output Current (source / sink) — 10 A / 9 A
Configuration — High-side, non-inverting
Supply Voltage (VCC / VBS) — 8 V to 35 V
Propagation Delay (typ.) — 30 ns
Rise Time / Fall Time (typ.) — 15 ns / 30 ns
Miller Clamp — Active (integrated)
Short-Circuit Clamping — Yes
UVLO — Primary and secondary side

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