1EDN6550BXTSA1 vs 1EDI60N12AFXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN6550BXTSA1 von Infineon und 1EDI60N12AFXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN6550BXTSA1 1EDI60N12AFXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,44 $2,21
Product Type Single-channel gate driver IC —
Driver Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting Single high-side, galvanically isolated
Anzahl der Ausgänge 1 —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Minimum Pulse Width 29 ns —
Input Type Differential (TTL-compatible) —
Supply Voltage Range [DATA_NEEDED: VCC range] —
UVLO Protection Yes (integrated) —
Betriebstemperatur -40C to +125C -40C to +125C
Gehäuse PG-SOT23-6-3 (SOT-23-6) PG-DSO-8-51 (DSO-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS-Status Compliant Compliant
Pin-Anzahl 6 —
Number of Channels — 1
Isolation Type — Magnetic (coreless transformer)
Isolation Voltage — 1200 V working voltage
Maximum Output Voltage — 40 V
Source Current (typ.) — 10 A
Sink Current (typ.) — 9.4 A
Supply Voltage (VDD) — 3.1 V to 17 V
Propagation Delay (typ.) — 120 ns
Input Logic Compatibility — 3.3 V and 5 V CMOS/TTL
Creepage Distance (min.) — 4 mm
Short-Circuit Clamping — Yes (separate sink/source outputs)

Datenblätter & Ressourcen

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