1EDN6550BXTSA1 vs 1EDI60N12AFXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDN6550BXTSA1 por Infineon y 1EDI60N12AFXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
1EDN6550BXTSA1 1EDN6550BXTSA1 - 5A Gate Driver IC, SOT-23-6 | Infineon

1EDN6550BXTSA1 - 5A Gate Driver IC, SOT-23-6 | Infineon

1EDN6550BXTSA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDN6550BXTSA1 1EDI60N12AFXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,44 $2,21
Product Type Single-channel gate driver IC —
Driver Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting Single high-side, galvanically isolated
Número de salidas 1 —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Minimum Pulse Width 29 ns —
Input Type Differential (TTL-compatible) —
Supply Voltage Range [DATA_NEEDED: VCC range] —
UVLO Protection Yes (integrated) —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40C to +125C
Encapsulado PG-SOT23-6-3 (SOT-23-6) PG-DSO-8-51 (DSO-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Estado RoHS Compliant Compliant
Recuento de pines 6 —
Number of Channels — 1
Isolation Type — Magnetic (coreless transformer)
Isolation Voltage — 1200 V working voltage
Maximum Output Voltage — 40 V
Source Current (typ.) — 10 A
Sink Current (typ.) — 9.4 A
Supply Voltage (VDD) — 3.1 V to 17 V
Propagation Delay (typ.) — 120 ns
Input Logic Compatibility — 3.3 V and 5 V CMOS/TTL
Creepage Distance (min.) — 4 mm
Short-Circuit Clamping — Yes (separate sink/source outputs)

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