1EDN6550BXTSA1 vs 1EDI60N12AFXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EDN6550BXTSA1 por Infineon e 1EDI60N12AFXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1EDN6550BXTSA1 1EDI60N12AFXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,44 $2,21
Product Type Single-channel gate driver IC —
Driver Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting Single high-side, galvanically isolated
Número de saídas 1 —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Minimum Pulse Width 29 ns —
Input Type Differential (TTL-compatible) —
Supply Voltage Range [DATA_NEEDED: VCC range] —
UVLO Protection Yes (integrated) —
Temperatura de operação -40C to +125C -40C to +125C
Encapsulamento PG-SOT23-6-3 (SOT-23-6) PG-DSO-8-51 (DSO-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS Compliant Compliant
Contagem de pinos 6 —
Number of Channels — 1
Isolation Type — Magnetic (coreless transformer)
Isolation Voltage — 1200 V working voltage
Maximum Output Voltage — 40 V
Source Current (typ.) — 10 A
Sink Current (typ.) — 9.4 A
Supply Voltage (VDD) — 3.1 V to 17 V
Propagation Delay (typ.) — 120 ns
Input Logic Compatibility — 3.3 V and 5 V CMOS/TTL
Creepage Distance (min.) — 4 mm
Short-Circuit Clamping — Yes (separate sink/source outputs)

Fichas técnicas e recursos

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