1EDN6550BXTSA1 vs 1EDI60N12AFXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN6550BXTSA1 par Infineon et 1EDI60N12AFXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDN6550BXTSA1 1EDI60N12AFXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,44 $2,21
Product Type Single-channel gate driver IC —
Driver Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting Single high-side, galvanically isolated
Nombre de sorties 1 —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Minimum Pulse Width 29 ns —
Input Type Differential (TTL-compatible) —
Supply Voltage Range [DATA_NEEDED: VCC range] —
UVLO Protection Yes (integrated) —
Température de fonctionnement -40C to +125C -40C to +125C
Boîtier PG-SOT23-6-3 (SOT-23-6) PG-DSO-8-51 (DSO-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant
Nombre de broches 6 —
Number of Channels — 1
Isolation Type — Magnetic (coreless transformer)
Isolation Voltage — 1200 V working voltage
Maximum Output Voltage — 40 V
Source Current (typ.) — 10 A
Sink Current (typ.) — 9.4 A
Supply Voltage (VDD) — 3.1 V to 17 V
Propagation Delay (typ.) — 120 ns
Input Logic Compatibility — 3.3 V and 5 V CMOS/TTL
Creepage Distance (min.) — 4 mm
Short-Circuit Clamping — Yes (separate sink/source outputs)

Fiches techniques et ressources

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