1EDN7116GXTMA1 vs 1EDN7136GXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN7116GXTMA1 von Infineon und 1EDN7136GXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7116GXTMA1 1EDN7136GXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,84 $1,02
Funktion Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs —
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 —
Peak Source Current 2 A (typ) 4 A
Peak Sink Current 4 A (typ) 8 A
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns —
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active —
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) Yes (VDD under-voltage lockout)
Betriebstemperaturbereich -40 °C to +125 °C —
Gehäuse PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level MSL3 [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS-Status Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
Product Type — Low-side gate driver IC
Configuration — Single channel, non-inverting
Target Switch — GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET
Input Logic — TTL/CMOS compatible
Propagation Delay — Sub-nanosecond class
Betriebstemperatur — -40 C to +125 C
Lead-free — Yes
Input Voltage (VDD) — [DATA_NEEDED: VDD range V]
Output Voltage (GaN gate) — Approximately 6 V (regulated)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern