1EDN7116GXTMA1 vs 1EDN7136GXTMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7116GXTMA1 par Infineon et 1EDN7136GXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 1EDN7116GXTMA1 | 1EDN7136GXTMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,84 | $1,02 |
| Fonction | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs | — |
| Driver Configuration | Non-inverting, single low-side | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| Peak Source Current | 2 A (typ) | 4 A |
| Peak Sink Current | 4 A (typ) | 8 A |
| Input Type | Truly Differential Input (TDI) | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Switch-Node Blocking Voltage | 200 V (max) | — |
| Propagation Delay (Typ) | 9 ns | — |
| Rise Time (Typ) | 3 ns | — |
| Fall Time (Typ) | 3 ns | — |
| Quiescent Current (Typ) | 0.6 mA | — |
| Miller Clamp | Integrated, active | — |
| UVLO | Yes (VCC and gate-rail monitored) | Yes (VDD under-voltage lockout) |
| Plage de température de fonctionnement | -40 °C to +125 °C | — |
| Boîtier | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) | PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | MSL3 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Target Switch Technology | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET | — |
| Product Type | — | Low-side gate driver IC |
| Configuration | — | Single channel, non-inverting |
| Target Switch | — | GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET |
| Input Logic | — | TTL/CMOS compatible |
| Propagation Delay | — | Sub-nanosecond class |
| Température de fonctionnement | — | -40 C to +125 C |
| Lead-free | — | Yes |
| Input Voltage (VDD) | — | [DATA_NEEDED: VDD range V] |
| Output Voltage (GaN gate) | — | Approximately 6 V (regulated) |