1EDN7126GXTMA1 vs 1ED44173N01BXTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN7126GXTMA1 von Infineon und 1ED44173N01BXTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7126GXTMA1 1ED44173N01BXTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,29 $0,42
Funktion Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET —
Configuration Non-Inverting Non-Inverting
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A —
Peak Sink Current 1.5 A —
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Gehäuse PG-VSON-10-4 PG-SOT23-6-3 (6-pin)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) —
Product Type — Low-Side MOSFET Gate Driver
Number of Channels — 1
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 25 V
Output Current (Source) — 2.6 A typical
Output Current (Sink) — 2.6 A typical
Anstiegszeit — [DATA_NEEDED: rise time]
Abfallzeit — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay — < 100 ns typical
Ruhestrom — 0.4 mA typical
Over-Current Protection — Yes (integrated, 4.5 V to 25 V threshold)
Fault Reporting — Yes (open-drain FAULT pin)
Enable-Pin — Yes
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
Betriebstemperatur — -40 C to +125 C

Datenblätter & Ressourcen

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