1EDN7126GXTMA1 vs 1ED44173N01BXTSA1 比較

詳細な並列比較: 1EDN7126GXTMA1 メーカー: Infineon および 1ED44173N01BXTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
1ED44173N01BXTSA1 1ED44173N01BXTSA1 - 25V 2.6A Low-Side Gate Driver | Infineon

1ED44173N01BXTSA1 - 25V 2.6A Low-Side Gate Driver | Infineon

1ED44173N01BXTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 1EDN7126GXTMA1 1ED44173N01BXTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.29 $0.42
機能 Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET —
Configuration Non-Inverting Non-Inverting
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A —
Peak Sink Current 1.5 A —
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
動作温度範囲 -40C to +125C —
パッケージ PG-VSON-10-4 PG-SOT23-6-3 (6-pin)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) —
Product Type — Low-Side MOSFET Gate Driver
Number of Channels — 1
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 25 V
Output Current (Source) — 2.6 A typical
Output Current (Sink) — 2.6 A typical
立ち上がり時間 — [DATA_NEEDED: rise time]
立ち下がり時間 — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay — < 100 ns typical
静止電流 — 0.4 mA typical
Over-Current Protection — Yes (integrated, 4.5 V to 25 V threshold)
Fault Reporting — Yes (open-drain FAULT pin)
イネーブルピン — Yes
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
動作温度 — -40 C to +125 C

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