1EDN7126GXTMA1 vs 1ED44173N01BXTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7126GXTMA1 par Infineon et 1ED44173N01BXTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDN7126GXTMA1 1ED44173N01BXTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,29 $0,42
Fonction Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET —
Configuration Non-Inverting Non-Inverting
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A —
Peak Sink Current 1.5 A —
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier PG-VSON-10-4 PG-SOT23-6-3 (6-pin)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) —
Product Type — Low-Side MOSFET Gate Driver
Number of Channels — 1
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 25 V
Output Current (Source) — 2.6 A typical
Output Current (Sink) — 2.6 A typical
Temps de montée — [DATA_NEEDED: rise time]
Temps de descente — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay — < 100 ns typical
Courant de repos — 0.4 mA typical
Over-Current Protection — Yes (integrated, 4.5 V to 25 V threshold)
Fault Reporting — Yes (open-drain FAULT pin)
Broche d'activation — Yes
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
Température de fonctionnement — -40 C to +125 C

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis