1EDN7126GXTMA1 vs 1ED44173N01BXTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EDN7126GXTMA1 por Infineon e 1ED44173N01BXTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1EDN7126GXTMA1 1ED44173N01BXTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,29 $0,42
Função Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET —
Configuration Non-Inverting Non-Inverting
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A —
Peak Sink Current 1.5 A —
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C —
Encapsulamento PG-VSON-10-4 PG-SOT23-6-3 (6-pin)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Status RoHS Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) —
Product Type — Low-Side MOSFET Gate Driver
Number of Channels — 1
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 25 V
Output Current (Source) — 2.6 A typical
Output Current (Sink) — 2.6 A typical
Tempo de subida — [DATA_NEEDED: rise time]
Tempo de descida — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay — < 100 ns typical
Corrente de repouso — 0.4 mA typical
Over-Current Protection — Yes (integrated, 4.5 V to 25 V threshold)
Fault Reporting — Yes (open-drain FAULT pin)
Pino de habilitação — Yes
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
Temperatura de operação — -40 C to +125 C

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação