1EDN7136GXTMA1 vs 1EDN7136UXTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN7136GXTMA1 von Infineon und 1EDN7136UXTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7136GXTMA1 1EDN7136UXTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,02 $0,74
Product Type Low-side gate driver IC —
Configuration Single channel, non-inverting —
Peak Source Current 4 A 1 A
Peak Sink Current 8 A 2 A
Target Switch GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET —
Input Logic TTL/CMOS compatible —
UVLO Yes (VDD under-voltage lockout) —
Propagation Delay Sub-nanosecond class —
Gehäuse PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad) TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -40 C to +125 C —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-free Yes —
Input Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD range V] —
Output Voltage (GaN gate) Approximately 6 V (regulated) —
Funktion — High-side / Low-side gate driver IC
Driven Device Type — GaN HEMT, N-channel MOSFET
Anzahl der Ausgänge — 2 (high-side and low-side)
Driver Supply Voltage (Max) — 200 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Active Miller Clamp — Yes (integrated)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (driver supply and logic input)
Propagation Delay (Typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Betriebstemperaturbereich — -40 C to +150 C
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes (per Infineon product family convention)

Datenblätter & Ressourcen

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