1EDN7136GXTMA1 vs 1EDN7136UXTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7136GXTMA1 par Infineon et 1EDN7136UXTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 1EDN7136GXTMA1 | 1EDN7136UXTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,02 | $0,74 |
| Product Type | Low-side gate driver IC | — |
| Configuration | Single channel, non-inverting | — |
| Peak Source Current | 4 A | 1 A |
| Peak Sink Current | 8 A | 2 A |
| Target Switch | GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET | — |
| Input Logic | TTL/CMOS compatible | — |
| UVLO | Yes (VDD under-voltage lockout) | — |
| Propagation Delay | Sub-nanosecond class | — |
| Boîtier | PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad) | TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -40 C to +125 C | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-free | Yes | — |
| Input Voltage (VDD) | [DATA_NEEDED: VDD range V] | — |
| Output Voltage (GaN gate) | Approximately 6 V (regulated) | — |
| Fonction | — | High-side / Low-side gate driver IC |
| Driven Device Type | — | GaN HEMT, N-channel MOSFET |
| Nombre de sorties | — | 2 (high-side and low-side) |
| Driver Supply Voltage (Max) | — | 200 V |
| Logic Supply Voltage (VCC) | — | [DATA_NEEDED: VCC range] |
| Input Type | — | Truly Differential Input (TDI) |
| Active Miller Clamp | — | Yes (integrated) |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | — | Yes (driver supply and logic input) |
| Propagation Delay (Typ) | — | [DATA_NEEDED: propagation delay value] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40 C to +150 C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes (per Infineon product family convention) |